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                技術(shù)文章

                介電常數(shù)及介質(zhì)損耗的術(shù)語及定義

                技術(shù)文章

                術(shù)語和定義

                1相對電容率 relative

                permittivityC丁

                電容器的電極之間及電極周圍的空間全部充以絕緣材料時,其電容 Cx與同樣電極構(gòu)形的真空電

                容 C 之 比:

                … ””·············。··…(1)

                式中:E,—

                相對電容率 ;

                CX— 充有絕緣材料時電容器的電極電容;

                C— 真空中電容器的電極電容。

                在標準大氣壓下,不含二氧化碳的于燥空氣的相對電容率 。「等于 1.000.73。因此,用這種電極構(gòu)

                形在空氣中的電容 C。來代替 C 測量相對電容率 。r時,也有足夠的精確度。

                在一個測量系統(tǒng)中,絕緣材料的電容率是在該系統(tǒng)中絕緣材料的相對電容率 。r與真空電氣常數(shù) Eo

                的乘積

                在S1制中,電容率用法/米(F/m)表示。而且。在 SI單位中,電氣常數(shù) 。、為

                ‘。= 8.854 X1012F/mc s61a丫 10 日F廠m’“““‘。。·… … (2 )

                在本標準中,用皮法和厘米來計算電容,真空電氣常數(shù)為:Ep= 0.08854pF/cm

                介質(zhì)損耗角8dielectriclossangle

                由絕緣材料作為介質(zhì)的電容器上所施加的電壓與由此而產(chǎn)生的電流之間的相位差的余角。

                介質(zhì)損耗因數(shù),, dielectricdissipationfactortan8損耗角 a的正切 。

                〔介質(zhì)〕損耗指數(shù)E,該材料的損耗因數(shù)[dielectric]lossindextan8與相對電容率:r的乘積

                復相對電容率 complexrelativepermittivityE,由相對電容率和損耗指數(shù)結(jié)合而得到的:,/一 )E,E,tan8{::·····。···············,,··,···。。。… (5)············。。················… … (6)

                式中:E,一 復相對電容率;鮮— 損耗指數(shù);。:、。r一 相對電容率;tan6 一介質(zhì)損耗因數(shù)。

                注:有損耗的電容器在任何給定的頻率下能用電容C 和電阻R,的串聯(lián)電路表示,或用電容C,和電阻R,(或電導

                G,)的并聯(lián)電路表示并聯(lián)等值電路R,((,',)串聯(lián) 等值 電路-州二二二州卜一tan占=tan6= .C.R.C,.R,G, ””‘7’

                式 中C5R}-串聯(lián) 電容串聯(lián) 電阻

                ” 有些國家用“損耗角正切”來表示“介質(zhì)損耗因數(shù)”,因為損耗的測量結(jié)果是用損耗角的正切來報告的

                ,氣一一︷。’l︸,GB/T 1409-2006CP— 并聯(lián)電容;R,— 并聯(lián)電阻。

                雖然以并聯(lián)電路表示一個具有介質(zhì)損耗的絕緣材料通常是合適的,但在單一頻率下 有時也需要以電容C,

                和電阻R,的串聯(lián)電路來表示。串聯(lián)元件與并聯(lián)元件之間,成立下列關(guān)系:C,l+ tan'&二(9)1 +tabta'ns'8R.C,R,一面mC1,R,

                式(9),(10),(I)中 C R C,,R,,tan6同式(7),(8)0

                無論串聯(lián)表示法還是并聯(lián)表示法,其介質(zhì)損耗因數(shù) tans是相等的.

                假如測量電路依據(jù)串聯(lián)元件來產(chǎn)生結(jié)果,且tan'8太大而在式(9)中不能被忽略,則在計算電容率前必須先

                計算并聯(lián)電容

                本標準中的計算和側(cè)量是根據(jù)電流(田=2兀/)正弦波形作出的 

                推薦測試設(shè)備:GCSTD-D高低頻介電常數(shù)測試儀

                 

                 

                 

                試驗方法:

                接觸法:適用于厚度均勻、上下表面平整、光滑材料

                非接觸法:適用于上下表面不平整、不光滑材料

                電極類型:固定電極-測量電極φ38mm/φ50mm(標配電極1套,標配為38mm)

                          液體電極-液體容量15ml

                          粉體電極-根據(jù)樣品量可配電極

                試樣類型:固體、液體、粉體、膏體/規(guī)則物或者不規(guī)則物

                性能特點

                ■ 測試頻率20Hz~2MHz,10mHz步進 
                ■ 測試電平10mV~5V, 1mV步進 
                ■ 基本準確度0.1%
                ■ 高達200次/s的測量速度 
                ■ 320×240點陣大型圖形LCD顯示 
                ■ 五位讀數(shù)分辨率 
                ■ 可測量22種阻抗參數(shù)組合
                ■ 四種信號源輸出阻抗                                           
                ■ 10點列表掃描測試功能 
                ■ 內(nèi)部自帶直流偏置源 
                ■ 外置偏流源至40A(配置兩臺TH1776)(選件)
                ■ 電壓或電流的自動電平調(diào)整(ALC)功能 
                ■ V、I測試信號電平監(jiān)視功能 
                ■ 圖形掃描分析功能 
                ■ 20組內(nèi)部儀器設(shè)定可供儲存/讀取 
                ■ 內(nèi)建比較器,10檔分選及計數(shù)功能 
                ■ 多種通訊接口方便用戶聯(lián)機使用                                 
                ■ 2m/4m測試電纜擴展(選件)
                ■ 中英文可選操作界面 
                ■ 可通過USB HOST 自動升級儀器工作程序 

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